Nauraの3D DRAMエッチング技術、CXMTにEUV超える新経路をもたらす可能性

中国のNaura Technologyは、64層3D DRAM構造の選択的エッチングプロセスを実証しました。これにより、最先端EUVリソグラフィへのアクセスが制限される中でも、国内メモリメーカーがトランジスタ密度を高める新たな道を開く可能性があります。

• 中国のNaura Technologyが、64層3D DRAM構造用の選択的エッチングプロセスを実証しました。
• この技術は、EUVリソグラフィへのアクセスが制限されている状況下でのトランジスタ密度の向上につながる可能性があります。
• これにより、中国国内のメモリメーカーが新たな製造ルートを確保できるかもしれません。