HBMハイブリッドボンディング、300℃の熱とCMPディッシングにより遅延

HBM（ハイバンド幅メモリ）のスタック数増加に伴い、次世代パッケージングソリューションであるハイブリッドボンディング（HB）のHBM5での導入が期待されていたが、プロセス制御の課題とコストが遅延させる可能性がある。同時に、熱管理がメモリ分野の主要なボトルネックとなっている。

• HBM（High Bandwidth Memory）におけるハイブリッドボンディング技術の導入が遅延している。
• 遅延の原因として、300℃の高温プロセスとCMP（化学機械研磨）時のディッシング（中央部が窪む現象）が挙げられている。
• HBMスタック数の増加に伴い、次世代パッケージング技術であるハイブリッドボンディングの重要性が高まっている。
• これらの技術的課題を克服することが、HBMの性能向上と普及の鍵となる。