Samsung、メモリ競争がHBMを超えて進む中、zHBFを推進

Samsung Electronicsは、AI推論向けNANDベースメモリの新階層確立に向け、HBM（ハイバンド幅メモリ）を超えた次世代メモリとしてzHBF（ハイバンド幅フラッシュ）への注力を示唆している。

• Samsung Electronicsが、HBM（High Bandwidth Memory）に続く次世代メモリとしてzHBM（HBF: High Bandwidth Flash）を推進している。
• zHBMは、AI推論向けの新しいNANDベースメモリティアとして位置づけられている。
• SamsungはFMS 2026でzHBMコンセプトモデルを展示した。
• HBM市場での競争が激化する中、Samsungは次世代メモリ技術で優位性を確立しようとしている。