JCET、高密度HBMと2.5D/3Dパッケージング向け1.5µm TSVマイルストーン達成

JCET Groupは、1.5μm径、17μm深さのTSV（Through-Silicon Via）の試作に成功し、より高密度な2.5D/3Dパッケージングに向けた先進パッケージング能力を拡張しました。これは、HBM（High Bandwidth Memory）の性能向上に寄与します。

• JCETは、高密度HBM（High Bandwidth Memory）および2.5D/3Dパッケージング向けに、1.5µmのTSV（Through-Silicon Via）製造マイルストーンを達成した。
• これは、アスペクト比11.3:1（深さ17µm、直径1.5µm）のTSVで、試作に成功したものである。
• 同社の先進パッケージング能力が向上し、より高密度な2.5D/3D統合に向けた技術基盤を強化した。