Samsung、2nm HBMファウンドリ能力のためGiheung R&Dラインを検討

Samsung Electronicsは、AIメモリ需要増に対応するため、Giheung R&Dセンターのラインを2nm HBMファウンドリ用へと転換することを検討している。

• Samsungが2nm HBMのファウンドリ能力向上のため、Giheung R&Dラインの転用を検討している。
• AIメモリ需要の逼迫に対応するための動きとされる。
• 先端ノードのキャパシティ増加を目指している。
• 研究開発ラインを生産ラインに転換する可能性がある。