Inversion Semiconductor、加速器X線リソグラフィでASMLを標的

Inversion Semiconductorは、ASMLのEUVアーキテクチャを超える新たな選択肢として、現在のEUVシステムよりも短波長、高スループット、高密度チップを実現できる粒子加速器リソグラフィプラットフォームを開発しています。

• Inversion SemiconductorがASMLのEUV（極端紫外線）リソグラフィを超える新技術を開発中です。
• 加速器X線リソグラフィは、より短い波長、高いスループット、高密度チップの実現を目指しています。
• ASMLのEUVアーキテクチャに代わる新たな製造ルートを提供する可能性があります。